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尊龙人生就是博d88真人线上娱乐按照摩尔定律,晶体管的数量与芯片性能息息相关,晶体管是最早实现3D化的尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,在平面晶体管时代尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,22nm基本就是大家公认的极限了尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,为了突破这个工艺极限尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,FinFET晶体管诞生了。
FinFET确切的说,是一个技术的代称尊龙人生就是博d88真人线上娱乐。世界上第一个3D三维晶体管是由英特尔在2011年5月宣布研制成功,当时英特尔称其为 “Tri-Gate”(三栅极晶体管)。
早在2002年,英特尔就已经提出了相关技术专利,花了将近10年完善尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,并在2011年年底用Tri-Gate技术量产22nm工艺的新一代处理器lvy Bridge,于2012年初正式发布。虽然叫法不同尊龙人生就是博d88真人线上娱乐尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,但Tri-Gate的本质就是FinFET。
从时间上看,第一个3D晶体管和第一代3D NAND闪存芯片推出的时间相差无几。2011年尊龙人生就是博d88真人线上娱乐尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,英特尔推出世界上第一个3D三维晶体管,2012年三星推出第一代3D NAND闪存芯片尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,也是第一款32层SLC V-NANDSSD——850 PRO。
最开始是东芝在2008年开发了3D NAND结构BICS尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,4年后,三星在2012年推出了第一代3D NAND闪存芯片,随后,东芝、西部数据尊龙人生就是博d88真人线上娱乐、美光等存储大厂接连跟上,拉开了3D NAND 层数之战的序幕。
近日也发布了业界首个232层堆栈的 3D NAND Flash芯片,虽然暂时还没有公布232层3D NAND闪存芯片的具体参数尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,但可以知道采用的是CuA架构,初始容量为1Tb(128GB),并预计在2022年底左右开始量产。
3D封装在前段时间也是狠狠火了一把,随着芯片越来越复杂,芯片面积尊龙人生就是博d88真人线上娱乐、良率和复杂工艺的矛盾难以调和,3D封装是发展的必然趋势。
在晶圆代工厂领域尊龙人生就是博d88真人线上娱乐尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,台积电的3D封装技术一马当先,早在2008年底台积电就成立导线与封装技术整合部门尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,正式进军封装领域。据悉,台积电的3D封装工艺主要分为前端芯片堆叠SoIC技术和后端先进封装CoWoS和InFO技术。
三星在2020年8月公布了自家的3D封装技术“X-Cube”,三星表示尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,这项技术将用于 5G尊龙人生就是博d88真人线上娱乐、AI尊龙人生就是博d88真人线上娱乐、AR、HPC(高性能计算)、移动和 VR 等领域。
目前,几家存储大厂也开始逐渐向3D DRAM迈进。今年年初,BusinessKorea 报道称尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,三星电子正在加速 3D DRAM 的研发,已经开始加强招聘人员等相关团队建设。
此外,美光科技和 SK 海力士也在考虑开发3D DRAM。美光提交了与三星电子不同的 3D DRAM 专利申请,希望能在不放置单元的情况下改变晶体管和电容器的形状。
也有日本媒体报道称,华为将在6月份举行的 VLSI Symposium 2022上发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。
在芯片从二维走向三维的过程中,出现了很多新技术尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,这些新技术的出现,不仅突破了某个行业内的瓶颈,也促进了半导体产业的继续创新。
部分内容来源于:中国科大图书馆:芯片的3D趋势;IEEE电气电子工程师:3D芯片技术颠覆计算的三种方式;黑科技观察家:3D芯片的未来发展方向,构建下一代3D芯片的技术一览;半导体行业观察:芯片,全面走向3D;祺芯半导体:芯片尊龙人生就是博d88真人线上娱乐,全面走向3D
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